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- Anlagen
- Physical Vapor Transport Anlagen
Physical Vapor Transport Anlagen (PVT)
Sie beinhalten folgende Vorteile:
- Entwickelt für die Massenproduktion
- Konfigurierbar auch als Entwicklungsanlage mit maximaler Variabilität – Individualisierung möglich
- Kleiner Footprint
- Hohe Widerholgenauigkeit
- Hoher Qualitätsstandard für maximalen Yield
- Vorbereitet für die Vollautomatisierung im Shopfloor
- Anbindung an SECS / GEM
- Immer einen guten Kontakt zu unseren Experten der PVA Crystal Growing Sytems
Das sogenannte Physical Vapor Transport (PVT) Verfahren hat sich seit vielen Jahren als Standardmethode zur Herstellung von SiC-Volumenmaterial fest etabliert. Dabei wird der Rohstoff, z.B. SiC-Pulver, bei hohen Temperaturen von über 2000°C direkt aus dem festen in den gasförmigen Aggregatzustand überführt (sublimiert) und anschließend an einem Keimling abgeschieden. So wächst der Keimling in der Dicke zu einem monokristallinen Boule an.
Siliziumkarbid eignet sich vor allem für Endanwendungen, bei denen hohe Ströme möglichst verlustfrei geschalten werden sollen. Die aus Siliziumkarbidwafern hergestellten Bauelemente arbeiten sehr effizient. Dies wird gewährleistet durch die geringere Verlustleistung und höhere Wärmeleitfähigkeit der so hergestellten Schaltungen. So verwundert es nicht, dass dieses Material bei hohen Packungs- und Leistungsdichten zum Einsatz kommt, sowie dort wo eine aktive Kühlung aufwendig ist. SiC ist die ideale Grundlage für Anwendungen in der Leistungselektronik bis in den kV-Bereich, da es hohe Schaltspannungen ermöglicht.
Mit der Produktgruppe SiCma baut und entwickelt die PVA Crystal Growing Systems GmbH seit über zehn Jahren eine der erfolgreichsten, kommerziell frei verfügbaren PVT-Anlagen zur Herstellung von SiC-Einkristallen.
Physical Vapor Transport Anlagen der PVA Crystal Growing Systems GmbH haben sich bei Kunden aus Wissenschaft und Industrie vielfach bewährt. Durch kontinuierliche Weiterentwicklung und intensive Kooperationen mit Partnern aus Industrie und Wissenschaft wird sichergestellt, dass die PVT-Anlagen mit den Anforderungen unserer Kunden wachsen. Durch die gezielte Weiterentwickelung sorgen wir dafür, dass unsere Kunden sich auch in Zukunft im internationalen Wettbewerb durchsetzen können.
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SiCma System - zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen
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SiCma Anlage
Die SiCma („Silicon Carbide machine“)wurde zur Herstellung von SiC-Kristallen mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt. Dabei wird der Rohstoff, z.B. SiC-Pulver, bei hohen Temperaturen von über 2000°C direkt aus dem festen in den gasförmigen Aggregatzustand überführt (sublimiert) und anschließend an einem Keimling abgeschieden. So wächst der Keimling in der Dicke zu einem monokristallinen Boule an. Das Design ist auf einen geringen Energieverbrauch optimiert.
Die mögliche Größe des Substrats beträgt 150 bis 200 mm Durchmesser (6‘‘ – 8‘‘). Der hohe Grad an Automatisierung sowie der kompakte Footprint der Anlage eignen sich perfekt für den Einsatz in der Massenproduktion. Ein mobiles System dient zur Be- und Entladung. Es sind zahlreiche Optionen verfügbar, die modular ergänzt werden können – zum Beispiel Vakuumpumpen und Messgeräte.
Die Produktdaten im Überblick:
Typische Kristalldurchmesser: 6“ und 8“ ID kleines Quartzrohr: Ø 378 mm ID großes Quartzrohr: Ø 430 mm Frequenz: 6 - 10 kHz Cabinet Footprint [BxT] 1.200 x 2.500 mm