Physical Vapor Transport Anlagen (PVT)

Hauptmerkmale:

  • Hochwertige Großserienfertigung bis zu 8’’
  • Kompaktes Design
  • Hohe Wiederholgenauigkeit
  • Hoher Qualitätsstandard für maximale Ausbeute
  • Fortschrittliche Automatisierung

Physical Vapor Transport (PVT) Anlagen sind für die Herstellung von hochwertigen Halbleiterkristallen wie Siliziumkarbid unerlässlich. Ein auf den herausfordernden Prozess optimierte PVT-Anlage zeichnet sich dadurch aus, dass sie hohe Temperaturen von über 2000 °C erzeugen und konstant halten kann, um Ausgangsmaterialien wie SiC-Pulver in Gas umzuwandeln. Das sublimierte SiC lagert sich dann auf einem Impfkristall ab, wo es einen monokristallinen Boule bildet. PVT-Anlagen müssen eine Reihe von Schlüsselanforderungen erfüllen, darunter eine kompakte Bauweise, präzise Wiederholbarkeit der Wachstumsbedingungen sowie hohe Qualität zur Maximierung der Ausbeute. Sie müssen zur Massenproduktion geeignet sein und gleichzeitig die nötige Flexibilität für Entwicklung und individuelle Anpassung bieten. Ein weiterer wichtiger Aspekt ist die Automatisierung. Die Anlagen müssen für die Vollautomatisierung in der Produktion und die Anbindung an z.B. SECS/GEM vorbereitet sein, um eine nahtlose Integration in die Produktionsumgebung zu ermöglichen.

Die PVA Crystal Growing Systems GmbH ist seit über einem Jahrzehnt ein führender Anbieter von PVT-Anlagen für die Herstellung von SiC-Einkristallen. Die Produktgruppe SiCma hat sich als die erfolgreichste, kommerziell frei verfügbare PVT-Anlage etabliert und wird seit über zehn Jahren hergestellt und stetig weiterentwickelt.

Unser Engagement für kontinuierliche Verbesserung und die enge Zusammenarbeit mit industriellen und akademischen Partnern stellt sicher, dass unsere PVT-Anlagen entsprechend den Anforderungen unserer Kunden weiterentwickelt werden. Dadurch fördern wir Innovation und Wettbewerbsfähigkeit auf globaler Ebene. Unsere Kunden profitieren von unserer Fokussierung auf gezielte Entwicklung, da sie sich dadurch an Marktveränderungen anpassen und eine starke internationale Präsenz aufrechterhalten können.

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SiCma Anlage – Entwickelt für die Herstellung von Siliziumkarbid

  • SiCma Anlage

    Die SiCma („Silicon Carbide machine“)wurde zur Herstellung von SiC-Kristallen mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt. Dabei wird der Rohstoff, z.B. SiC-Pulver, bei hohen Temperaturen von über 2000°C direkt aus dem festen in den gasförmigen Aggregatzustand überführt (sublimiert) und anschließend an einem Keimling abgeschieden. So wächst der Keimling in der Dicke zu einem monokristallinen Boule an. Das Design ist auf einen geringen Energieverbrauch optimiert.

    Die SiCma ist für Substratgrößen von 150 bis 200 mm (6'' - 8'') Durchmesser ausgelegt. Ihr hoher Automatisierungsgrad und kompakte Bauweise Machen sie zur idealen Wahl für die Großserienfertigung. Zur Be- und Entladung kann ein mobiles System verwendet werden. Darüber hinaus bieten wir eine Vielzahl von modularen Optionen, z.B. Turbopumpe und diverse Messvorrichtungen an, um Ihren spezifischen Anforderungen gerecht zu werden.

    Die Produktdaten im Überblick:

    Typische Kristalldurchmesser: 6“ und 8“
    ID ID kleine Prozesskammer: Ø 378 mm
    ID große Prozesskammer: Ø 430 mm
    Frequenz: 6 - 10 kHz
    Stellfläche Gehäuse [BxT] 1.200 x 2.500 mm
       

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