Physical Vapor Transport Anlagen (PVT)

Sie beinhalten folgende Vorteile:

  • Produktportfolio umfasst sowohl fertig konfigurierte Systeme als auch kundenspezifische Lösungen
  • Kompaktes Design und hohe Flexibilität hinsichtlich Einsatz von Pumpen und Generatoren
  • Hohe Reproduzierbarkeit & Produktivität durch ein breites Spektrum an Zubehöroptionen sowie einem hohen Automatisierungsgrad
  • Mehr Flexibilität durch das Angebot von in der Halbleiterindustrie gängigen Schnittstellen zu kundenspezifischen Prozessleitsystemen wie MES (Manufacturing Execution System)
  • Jederzeit  Anpassung & Optimierung der Anlagen bei Prozessveränderungen durch direkten Kontakt zu Experten von PVA Crystal Growing Systems

Für die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) Einkristallen hat sich das sogenannte Physical Vapor Transport (PVT) Verfahren seit vielen Jahren als Standardmethode fest etabliert. Bei diesem Verfahren wird SiC-Quellmaterial, i.d.R. SiC-Pulver, bei Temperaturen von über 2000°C durch Sublimation in die Gasphase überführt. Aus den gasförmigen Komponenten entsteht an einem vorgegebenen Keim anschließend ein SiC Einkristall.

Im Zuge des Ausbaus der erneuerbaren Energien und des zunehmenden Einsatzes elektrischer Antriebe in mobilen Anwendungen existiert eine rapide wachsende Nachfrage an effizienter und leichter Leistungselektronik. Während Silizium für Mikroelektronik nahezu ideale Eigenschaften besitzt, stößt das Materialsystem für aktuelle Anwendungen in der Leistungselektronik zunehmend an seine physikalischen Grenzen. Gegenüber Silizium besitzt Siliziumkarbid u.a. eine größere Bandlücke, höhere Durchbruchfeldstärke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit, wodurch sich das Materialsystem ideal zur Herstellung von Leistungselektronik bis in den kV-Bereich eignet.

Mit der Produktgruppe SiCma baut und entwickelt die PVA Crystal Growing Systems GmbH seit über zehn Jahren eine der erfolgreichsten, kommerziell frei verfügbaren PVT-Anlagen zur Herstellung von SiC-Einkristallen.

Physical Vapor Transport Anlagen der PVA Crystal Growing Systems GmbH haben sich bei Kunden aus Wissenschaft und Industrie vielfach bewährt. Durch kontinuierliche Weiterentwicklung und intensive Kooperationen mit Partnern aus Industrie und Wissenschaft wird sichergestellt, dass die PVT-Anlagen den aktuellen Anforderungen der SiC-Branche stets gerecht werden.

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SiCma System - zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen

  • SICma Anlage

    Das SiCma System wurde speziell zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen (SiC) mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt. Dabei wird das pulverförmige Ausgangsmaterial bei hohen Temperaturen erhitzt und sublimiert und scheidet sich schließlich auf einem speziell präparierten Substrat ab. Dies erfolgt durch induktive Erhitzung im Kilohertz-Bereich mittels Induktionsspule. Das Design dieser Spule ist auf einen geringen Energieverbrauch optimiert.

    Die mögliche Größe des Substrats beträgt 100 bis 150 mm Durchmesser (4‘‘ – 6‘‘). Durch einen hohen Grad an Automatisierung und eine kompakte Aufstellfläche (footprint) ist die Anlage für die Massenproduktion optimiert. Zusätzlich erhältlich ist ein mobiles System zur Be- und Entladung der Anlage sowie zahlreiche Optionen, die modular ergänzt werden können – zum Beispiel Vakuumpumpen und Messgeräte.

    Die Produktdaten im Überblick:

    Max. Kristalldurchmesser: 6"
    Innerer Durchmesser Prozesskammer 4" Quartzrohr: 286 mm
    Innerer Durchmesser Prozesskammer 6" Quartzrohr: 378 mm
    Frequenz: 6 - 10 kHz
       
       

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