Das Verfahren
Beim PVT-Verfahren wird polykristallines Siliziumkarbid (SiC) an der Quelle bei einer hohen Temperatur (1.800 – 2.600 °C) und niedrigem Druck sublimiert. Die entstehenden Partikel aus Silizium und Kohlenstoff gelangen in einem Trägergas (z.B. Argon) durch natürliche Transportmechanismen zum kühleren Impfkristall, wo die Kristallisation aufgrund von Übersättigung stattfindet. Im Gegensatz zur CVD-Methode findet keine chemische Reaktion mit dem Trägergas statt. Der Impfkristall befindet sich gewöhnlich am oberen Ende des Tiegels, um eine Verunreinigung durch herabfallende Partikel zu verhindern.
Anwendungen
Unsere Systeme der PVT-Serie wurden speziell für die Herstellung von Siliziumkarbidkristallen für die Halbleiterindustrie sowie den F&E-Bereich entwickelt.