Physical Vapor Transport (PVT)
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Die physikalische Gasphasenabscheidung (Physical Vapor Transport, PVT) ist ein bewährtes Verfahren für das Wachstum von Verbindungshalbleiter-Einkristallen wie Siliziumkarbid (SiC) oder Aluminiumnitrid (AlN). Sie wird vor allem aufgrund ihrer Fähigkeit, defektfreie und hochreine Kristalle herzustellen, bevorzugt. Die Entwicklung des PVT-Verfahrens und seiner Varianten, wie der Lely-Methode, ist nach wie vor ein wichtiges Forschungsgebiet. Ziel ist es, die Wachstumsbedingungen zu optimieren und die Kristall-Eigenschaften zu verbessern. |
Das Verfahren
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Im PVT-Verfahren wird das polykristalline Ausgangsmaterial (z.B. SiC- oder AlN-Pulver) bei hoher Temperatur und niedrigem Druck in einem geschlossenen Tiegel sublimiert. Mittels eines Trägergases (z.B. Argon) werden die verdampften Ausgangsmaterialien zu einem kühleren Impfkristall transportiert, wo sie kondensieren und so zum Kristallwachstum beitragen. Im Gegensatz zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) findet beim PVT-Verfahren keine chemische Reaktion mit dem Trägergas statt. Die Qualität und die Eigenschaften des gezüchteten Kristalls werden durch eine Reihe von Prozessparametern bestimmt, darunter die Temperaturen des Ausgangsmaterials und des Impfkristalls, das Partialdruckverhältnis der Gase und der Restgasdruck. |
Anwendungen
Unsere PVT-Anlagen sind für die Großserienfertigung hochwertiger SiC-Wafer unerlässlich. Ihre Anpassungsfähigkeit für den F&E-Sektor fördert Innovationen in der Halbleitertechnologie.