VGF-Anlagen
Kronos
Die Anlagen vom Typ Kronos arbeiten nach dem Prinzip der gerichteten Erstarrung (Vertical Gradient Freeze, VGF). Durch den hohen Betriebsdruck in der Anlage können selbst Materialien kristallisiert werden, deren Komponenten einen hohen Dampfdruck aufweisen. Das System ist erhältlich in einem Druckbereich von 10 – 40 bar zur Kristallisation diverser Verbindungshalbleiter. Mit dieser Methode ist die industrielle Herstellung von Kristallen, wie Galliumarsenid (GaAs) in der Standardausführung mit max. 10 bar Druck und von Indiumphosphid (InP) in einer Version mit max. 40 bar Druck möglich. Zusätzlich ist ein mobiles System zur Be- und Entladung der Anlage erhältlich.
Produktdaten im Überblick
Material: Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP)