Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD)
Das HTCVD-Verfahren (High Temperature Chemical Vapor Deposition) ermöglicht die Herstellung von Siliziumkarbidkristallen, die unter anderem bei der Herstellung von Schottky-Dioden mit geringen Schaltverlusten und blauen LEDs Anwendung finden. Darüber hinaus wird Siliziumkarbid auch für elektronische Komponenten genutzt, die hohen Temperaturen oder hohen Dosen ionisierender Strahlung standhalten müssen. Siliziumkarbid wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit auch als Substrat für andere Halbleitermaterialien verwendet.
Das Verfahren
Eine feste Komponente wird auf der erwärmten Oberfläche eines Substrats als Ergebnis einer chemischen Reaktion aus der Gasphase abgeschieden. Dazu müssen gasförmige Verbindungen der Schichtkomponenten vorhanden sein, die bei einer bestimmten Reaktionstemperatur zum Wachstum einer festen Schicht führen. Die HTCVD-Methode chemischer Gasphasen enthält mindestens eine chemische Reaktion auf der Oberfläche des zu beschichtenden Substrats. Um die Oberflächenreaktion gegenüber konkurrierenden Reaktionen in der Gasphase zu begünstigen und somit die Bildung fester Partikel zu vermeiden, werden chemische Gasphasenabscheidungsprozesse meist unter vermindertem Druck durchgeführt.
Anwendungen
Unsere Systeme der HTCVD-Serie wurden speziell für die Herstellung dieses hochreinen Siliziumkarbids für die Halbleiter-, Leistungs- und Optoelektronik-Industrie entwickelt.