Physical Vapor Transport (PVT)
Das Sublimationswachstum mittels Impfkristall, auch bekannt als physischer Gasphasentransport, stellt eine Modifikation der Lely-Methode dar. Das PVT-Verfahren gilt heutzutage als Standardmethode für das Wachstum von monokristallinem Siliziumkarbid. Aufgrund ihrer hervorragenden Eigenschaften werden durch PVT-Verfahren hergestellte Kristalle vor allem in der Halbleiterindustrie und dem F&E-Bereich genutzt.
Das Verfahren
Beim PVT-Verfahren wird polykristallines Siliziumkarbid (SiC) an der Quelle bei einer hohen Temperatur (1.800 – 2.600 °C) und niedrigem Druck sublimiert. Die entstehenden Partikel aus Silizium und Kohlenstoff gelangen in einem Trägergas (z.B. Argon) durch natürliche Transportmechanismen zum kühleren Impfkristall, wo die Kristallisation aufgrund von Übersättigung stattfindet. Im Gegensatz zur CVD-Methode findet keine chemische Reaktion mit dem Trägergas statt. Der Impfkristall befindet sich gewöhnlich am oberen Ende des Tiegels, um eine Verunreinigung durch herabfallende Partikel zu verhindern.
Anwendungen
Unsere PVT-Systeme wurden speziell für die Massenproduktion von SiC-Wafern konzipiert. Darüber hinaus lassen Sie sich optimal für den F&E-Bereich konfigurieren.