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  • 1. Float-Zone (FZ)  
    Das Verfahren In einer Kammer mit kontrollierter Atmosphäre wird ein gereinigter, polykristalliner Siliziumstab (Source-Rod) oberhalb einer Hochfrequenzinduktionsspule positioniert. Durch sehr…  
  • 2. Float-Zone (FZ) - Das Verfahren  
    Das Verfahren In einer Kammer mit kontrollierter Atmosphäre wird ein gereinigter, polykristalliner Siliziumstab (Source-Rod) oberhalb einer Hochfrequenzinduktionsspule positioniert. Durch sehr…  
  • 3. Physical Vapor Transport Anlagen  
    Kontaktieren Sie uns Wie können wir Sie bei den PVT-Anlagen unterstützen? Kontaktieren Sie uns! cgsinfo@pvatepla.comSiCma Anlage Die SiCma („Silicon Carbide machine“)wurde zur…  
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    SiCma Anlage Die SiCma („Silicon Carbide machine“)wurde zur Herstellung von SiC-Kristallen mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt. Dabei wird der…  
  • 5. Physical Vapor Transport Anlagen - SiCma Anlage – Entwickelt für die Herstellung von Siliziumkarbid  
    SiCma Anlage – Entwickelt für die Herstellung von Siliziumkarbid  
  • 6. Physical Vapor Transport Anlagen  
    Hauptmerkmale: Hochwertige Großserienfertigung bis zu 8’’ Kompaktes Design Hohe Wiederholgenauigkeit Hoher Qualitätsstandard für maximale Ausbeute Fortschrittliche Automatisierung …  
  • 7. Physical Vapor Transport (PVT)  
    Das Verfahren Im PVT-Verfahren wird das polykristalline Ausgangsmaterial (z.B. SiC- oder AlN-Pulver) bei hoher Temperatur und niedrigem Druck in einem geschlossenen Tiegel sublimiert.…  
  • 8. Physical Vapor Transport (PVT) - Das Verfahren  
    Das Verfahren Im PVT-Verfahren wird das polykristalline Ausgangsmaterial (z.B. SiC- oder AlN-Pulver) bei hoher Temperatur und niedrigem Druck in einem geschlossenen Tiegel sublimiert.…  
  • 9. Physical Vapor Transport (PVT) - Physical Vapor Transport (PVT)  
    Physical Vapor Transport (PVT) Die physikalische Gasphasenabscheidung (Physical Vapor Transport, PVT) ist ein bewährtes Verfahren für das Wachstum von…  
  • 10. Übersicht  
    Monokristalline Siliziumkarbid-Substrate eröffnen im Elektromobilitätssektor und anderen Hochleistungsanwendungen neue Perspektiven. Marktanalysten prognostizieren für die kommenden…  

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