PVT-Anlagen

SiCma

Das SiCma System wurde speziell zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen (SiC) mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt.
Dabei wird das pulverförmige Ausgangsmaterial bei hohen Temperaturen erhitzt und sublimiert und scheidet sich schließlich auf einem speziell präparierten Substrat ab. Dies erfolgt durch induktive Erhitzung im Kilohertz-Bereich mittels Induktionsspule. Das Design dieser Spule ist auf einen geringen Energieverbrauch optimiert.

Die mögliche Größe des Substrats beträgt 100 bis 150 mm Durchmesser (4‘‘ – 6‘‘). Durch einen hohen Grad an Automatisierung und eine kompakte Aufstellfläche (footprint) ist die Anlage für die Massenproduktion optimiert. Zusätzlich erhältlich ist ein mobiles System zur Be- und Entladung der Anlage sowie zahlreiche Optionen, die modular ergänzt werden können – zum Beispiel Vakuumpumpen und Messgeräte.

Produktdaten im Überblick

Material: Siliziumkarbid

Saatwafer: 4‘‘ und 6‘‘
Betriebsdruck: 1 – 900 mbar
Betriebstemperatur: max. 2400°C

Generator
Ausgangsspannung: max. 40 kW
Frequenz: 6 – 10 kHz
Dimensionen
Höhe: 2800 mm
Breite: 1200 mm
Tiefe: 2000 mm
Gewicht (total): 1300 kg / mit Schaltschrank: 2000 kg

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PVA Crystal Growing Systems GmbH
Im Westpark 10 – 12
35435 Wettenberg

Telefon: +49 (0) 641/68690-0