HTCVD-Anlagen

SiCube

Das SiCube System wurde speziell zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen (SiC) mittels chemischer Gasphasendeposition bei hohen Temperaturen (High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD) entwickelt. Dabei scheiden sich die Komponenten durch chemische Dekomposition aus der Gasphase bei hohen Temperaturen auf dem Substrat ab. Die Reinheit des Prozesses, insbesondere bezüglich Sauerstoff und Wasser, wird durch Abpumpen der Anlage in den Hochvakuumbereich vor Prozessstart gewährleistet. Die Temperatur wird durch induktive Erhitzung im Kilohertz-Bereich mittels Induktionsspule erzeugt. Es können Substrate mit bis zu 100 mm Durchmesser (4‘‘) eingesetzt werden.

Produktdaten im Überblick

Material: Siliziumkarbid

Saatwafer: bis zu 4‘‘
Betriebsdruck: 5 – 900 mbar
Betriebstemperatur: max. 2400°C
Endvakuum: 5 x 10-6 mbar
Generator
Ausgangsspannung: max. 80 kW
Frequenz: 6 – 10 kHz
Dimensionen
Höhe: 3725 mm
Breite: 2000 mm
Tiefe: 2500 mm
Gewicht (total): 3800 kg

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