PVT-Anlagen
SiCma
Das SiCma System wurde speziell zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen (SiC) mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt.
Dabei wird das pulverförmige Ausgangsmaterial bei hohen Temperaturen erhitzt und sublimiert und scheidet sich schließlich auf einem speziell präparierten Substrat ab. Dies erfolgt durch induktive Erhitzung im Kilohertz-Bereich mittels Induktionsspule. Das Design dieser Spule ist auf einen geringen Energieverbrauch optimiert.
Die mögliche Größe des Substrats beträgt 100 bis 150 mm Durchmesser (4‘‘ – 6‘‘). Durch einen hohen Grad an Automatisierung und eine kompakte Aufstellfläche (footprint) ist die Anlage für die Massenproduktion optimiert. Zusätzlich erhältlich ist ein mobiles System zur Be- und Entladung der Anlage sowie zahlreiche Optionen, die modular ergänzt werden können – zum Beispiel Vakuumpumpen und Messgeräte.
Produktdaten im Überblick
Material: Siliziumkarbid